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Optimierung von koplanaren GaN-MMIC-Leistungsverstärkern im X-Band
Seit seiner Erfindung wurde der Transistor stetig weiterentwickelt und hat die bis dato in Verstärkern verwendeten Elektronenröhren immer mehr verdrängt. Auch bei Radar- und Satellitenanwendungen im X-Band (8 bis 12 GHz) setzten sich die Halbleiter-Bauelemente zunehmend durch. Für derartige Anwendungen werden Leistungsverstärker in Form von monolithisch integrierten Mikrowellenschaltkreisen (MMIC) mit einer Ausgangsleistung von >10 W benötigt. Die vorliegende Arbeit stellt ...

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